Dotychczasowe nanoszenie bardzo cienkich warstw materiałów odbywało się przy temperaturach powyżej 800° C. Technologia ta była skomplikowana i mało precyzyjna, a do tego wysoka temperatura często negatywnie wpływała na właściwości materiałów, szczególnie w przypadku elementów warstw półprzewodnikowych.
Defence Advanced Research Project Agency (DARPA) wraz z naukowcami z uniwersytetu w Kolorado przedstawiła nową metodę (EE-ALD – electron enhanced atomic layer deposition), pozwalającą – dzieki stymulowanej elektronowo desorpcji wodoru – na powlekanie powierzchni w temperaturze pokojowej i precyzyjną kontrolę tworzonych struktur w trzech wymiarach. Przeprowadzono pokaz powlekania folią z azotku galu podłoża krzemowego w temperaturze 27° C. Nowa metoda pozwala na łączenie wcześniej niekompatybilnych materiałów.
